3D NAND即三维闪存技术。“过去的存储芯片是平面的,我们可以把它想象为一个‘地面停车场’。三维闪存芯片是立体的,更像是‘立体停车场’。这意味着,同样的‘占地面积’,立体芯片能够容纳的数据量更多。”专家表示。
尽管这颗存储芯片只有芝麻粒大小,却内藏乾坤。它拥有3665亿个“细胞”——存储单元。QLC是继TLC后三维闪存新的技术形态,具有大容量、高密度等特点。TLC的每个“存储细胞”可存储3bit数据,QLC的每个“细胞”能存储4bit数据。这些“存储细胞”加起来,能让一颗芯片的存储容量达到惊人的1.33TB,相当于1362GB。
得益于“存储细胞”不断扩容以及这些“细胞”之间独特的Xtacking架构布局,此次发布的128层闪存芯片“X2-6070”拥有业界最高的存储密度、传输速度和单颗闪存芯片容量。
“从64层量产至128层研发成功,仅相隔了7个月,即便发生了疫情也没有阻挡我们的研发脚步。”长江存储首席执行官杨士宁表示,作为闪存行业的“新进入者”,长江存储用短短3年便将中国的三维存储芯片推向了128层的新高度。“这是数千名研发人员智慧的结晶,也是全产业链上下游通力协作的成果。”