第03:创富·田园
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长江存储成功研发全球首款128层QLC闪存~~~
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2020年05月25日 星期一 出版 上一期  下一期
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长江存储成功研发全球首款128层QLC闪存

一芯片存储容量1.33TB

  本报讯(记者 郑莉莉 任文 通讯员 华健)长江存储科技有限责任公司日前宣布,最新128层QLC 3D NAND闪存研发成功,这也是全球首款128层QLC闪存。目前,该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。

  3D NAND即三维闪存技术。“过去的存储芯片是平面的,我们可以把它想象为一个‘地面停车场’。三维闪存芯片是立体的,更像是‘立体停车场’。这意味着,同样的‘占地面积’,立体芯片能够容纳的数据量更多。”专家表示。

  尽管这颗存储芯片只有芝麻粒大小,却内藏乾坤。它拥有3665亿个“细胞”——存储单元。QLC是继TLC后三维闪存新的技术形态,具有大容量、高密度等特点。TLC的每个“存储细胞”可存储3bit数据,QLC的每个“细胞”能存储4bit数据。这些“存储细胞”加起来,能让一颗芯片的存储容量达到惊人的1.33TB,相当于1362GB。

  得益于“存储细胞”不断扩容以及这些“细胞”之间独特的Xtacking架构布局,此次发布的128层闪存芯片“X2-6070”拥有业界最高的存储密度、传输速度和单颗闪存芯片容量。

  “从64层量产至128层研发成功,仅相隔了7个月,即便发生了疫情也没有阻挡我们的研发脚步。”长江存储首席执行官杨士宁表示,作为闪存行业的“新进入者”,长江存储用短短3年便将中国的三维存储芯片推向了128层的新高度。“这是数千名研发人员智慧的结晶,也是全产业链上下游通力协作的成果。”

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